姓名：张傲 职务职称：副教授、硕士生导师 办公地点：教学楼5-103
联系方式：aozhang@ntu.edu.cn
研究方向：半导体器件表征与测试、集成电路设计与验证
基本情况：
南京邮电大学获工学学士学位，华东师范大学获工学博士学位，加拿大卡尔顿大学访问交流。主持国家自然科学基金青年项目1项；已发表第一/通讯作者SCI论文20余篇，获2022年中国仿真学会优秀博士论文，出版中、英文专著3部，中文专著《硅基射频器件的建模与参数提取》（电子工业出版社）获国家出版基金项目和“十四五”时期国家重点出版物出版专项规划项目资助。2023年起任中国仿真学会集成微系统建模与仿真分会委员。
主要成果：
代表作：
[1] A. Zhang, X. Hao, J. Gao, GaN Schottky Barrier Diode (SBD) Modeling and Parameter Extraction for Multi-cathode Application, IEEE Transactions on Electron Devices, 2024.
[2] A. Zhang, J. Gao, Scalable Large Signal Modeling for GaAs Schottky Diode Including Edge Effects and DC/AC Dispersion, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 70, no. 12, pp. 6250-6255, 2023.
[3] A. Zhang, J. Gao, Comprehensive Analysis of Linear and Nonlinear Equivalent Circuit Model for GaAs-PIN Diode, IEEE Transactions on Industrial Electronics, vol. 69, no. 11, pp. 11541-11548, 2022.
[4] A. Zhang, J. Gao, Scalable p-i-n Diode Modeling and Parameter Extraction for Use in the Design of W-Band GaAs Switch, IEEE Transactions on Industrial Electronics, vol. 69, no. 7, pp. 7255-7262, 2022.
[5] A. Zhang, J. Gao, Semi-Analytical Method for Determination of Air Bridge Interconnect for GaAs-Based p-i-n Diode, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 69, no. 9, pp. 4848-4852, 2022.
专著：
1. 张傲，高建军著，《硅基射频器件的建模与参数提取》，电子工业出版社，2021（获国家出版基金项目、“十四五”时期国家重点出版物出版专项规划项目资助）
2. Ao Zhang and Jianjun Gao, Modeling and Parameter Extraction Techniques of Silicon-Based Radio Frequency Devices. World Scientific, 2023.
张傲，高建军著《III-V族异质结双极晶体管——从器件工作原理到电路模型》高等教育出版社，2023