李毅

所在系室：

微电子学院（集成电路学院）微电子系

办公地点：

5号楼311（西）

联系方式：

liyi2016@ntu.edu.cn

研究方向：

III-V族化合物光电子器件

男，湖南岳阳人，博士，2013年毕业于南京大学微电子学与固体电子学专业，主要从事GaN基LED器件、超表面结构设计等方面的研究。主持自然基金1项。

微电子器件与技术基础（本科生）

[1] 国家自然科学基金委员会，面上项目（61874168），深紫外type-II量子阱的能带工程及与表面等离激元耦合的研究，2019-2022，47万元，主持

论文：

[1] 郑圣源, 李毅, 葛梅, 等. 用于长波红外探测器的超透镜设计[J]. 光学学报, 2025, 45(10): 1023005.

[2] Li Y, Ge M, Wang M, et al. Investigation on the optical properties of group-III nitride materials based on fully-connected neural network[J]. Physica Scripta, 2024, 99(10): 105943. (SCI, 中科院3区)

[3] Li Y, Ge M, Wang M, et al. Investigation on the optical properties of Al nanograting deep-ultraviolet LEDs with rough surface of sapphire[J]. AIP Advances, 2023, 13(10):2158-3226. (SCI, 中科院4区)

[4] Li Y, Ge M, Wang M, et al. Effect of surface plasmon coupling with radiating dipole on the polarization characteristics of AlGaN-based light-emitting diodes[J]. Chin. Phys. B, 2022, 31(7): 77801-077801. (SCI, 中科院3区)

[5] Li Y, Ge M, Wang M, et al. Investigation of the optical properties of a deep-ultraviolet LED with an Al nanograting structure[J]. Optics Express, 2022, 30(25): 44496-44503. (SCI, 中科院2区)

专利：

[1] 一种耦合量子阱结构深紫外AlGaN基发光二极管，授权时间: 2021.12.21，中国，专利号：ZL202110299287.2.

无

无

近5年已指导硕士研究生1名，其中毕业0名。指导的研究生在SCI、中文核心等期刊发表论文1篇，申请专利1项。

每年计划招收硕士研究生1名，主要从事GaN基LED器件结构设计等相关方向的研究工作。