葛梅

所在系室：

集成电路系

办公地点：

5号楼313

联系方式：

meige@ntu.edu.cn

研究方向：

宽禁带半导体电力电子器件、氧化镓基功率器件、二维材料

葛梅，女，江苏南通人，副教授，硕士生导师。2019年6月于南京大学电子科学与工程学院获工学博士学位，2017年9-12月获南京大学研究生院奖学金赴意大利帕多瓦大学访学，2020年获江苏省双创博士称号，入选江苏省第十六批、十七批科技镇长团团员。主要从事氮化镓基电力电子器件仿真、建模、可靠性测试的研究，目前，已发表SCI论文20余篇，主持国家自然科学基金项目1项、南通市科技计划项目1项、南京大学固体微结构国家重点实验室开放课题1项，。指导本科生获全国大学生集成电路创新创业大赛华东赛区二等奖2项。

半导体物理、集成电路原理与设计、电子设计自动化（本科生）

[1]国家自然科学基金委，青年科学基金项目，62004109，2021-2023，结题，主持；

[2]江苏省教育厅，面上项目，24KJB5100337，2024-2026，在研，主持；

[3]南京大学固体微结构国家重点实验室，开放课题，M25008，结题，主持；

[4]南通市科学技术局，基础科学研究项目，JC2019006，结题，主持；

[5]国家自然科学基金委，面上项目，62074087，2021-2024，资助期满，参与。

论文/专著：

[1]  Mei Ge, Maria Ruzzarin, Dunjun Chen, et al., IEEE Electron Device Letters, 2019, 40(3).

[2]  Mei Ge*, Yi Li, Youhua Zhu, et al., Journal of Physics D: Applied Physics, 2022, 55(6).

[3]  Mei Ge*, Yi Li, Youhua Zhu, et al.,  Journal of Physics D: Applied Physics, 2021, 54(35).

[4] Mei Ge, Yi Li, Youhua Zhu, et al., Journal of Applied Physics, 2021, 130(3).

[5]  Zhang wenqian, Ge Mei*, Li Yi, et al., Electronics, 2024, 13(23).

[6]  Mei Ge, Yi Li, Youhua Zhu, et al., Japanese Journal of Applied Physics, 2024, 63(12).

[7]  Biao Gong, Shiting Dai, Mei Ge*, et al., IEEE Photonics Technology Letters, 2024, 36(22).

[8] Mei Ge, Yi Li, Youhua Zhu, et al., Crystals, 2022, 12(1).

[9]  Biao Gong, Mei Ge, Xiao Wang, et al., IEEE Electron Device Letters, 2024, 45(12).

[10] Mei Ge, Qing Cai, Baohua Zhang, et al, Chinese Physics B, 2019, 28(10).

[11] 葛梅*，李毅，王志亮，朱友华，南通大学学报，2021, 20(2).

专利：

[1] 葛梅，张文倩，余晨辉，GaN基p沟道场效应晶体管及其制备方法，2024-10-0，202411402012.7；

[2] 葛梅，黄俊文，崔晋铭，电流孔径垂直电子晶体管及其制备方法，2024-07-19，CN202410973524.2.

[1]  南通大学学报（自然科学版），青年编委

无

近5年已指导硕士研究生4名，指导的研究生在SCI期刊发表论文1篇，申请授权专利2项，2名研究生参与第十八届全国MOCVD学术会议。

每年计划招收集成电路方向的硕士研究生1-2名，主要从事宽禁带半导体功率器件设计、神经网络辅助优化半导体器件设计等方向的研究工作。