余晨辉

所在系室：

微电子学院（集成电路学院）/集成电路系

办公地点：

5号楼105室

联系方式：

ychyu@ntu.edu.cn

研究方向：

半导体器件设计、半导体人工智能技术、功率电路设计与系统应用

男，九三学社社员，博士，教授，博士生导师。2007年，在中国科学院上海技术物理研究所获得微电子学与固体电子学专业理学博士学位。2018-2019年，受国家留学基金委资助，赴加拿大曼尼托巴大学从事访问学者研究。博士毕业后，曾在中国兵器工业集团第二〇九研究所（西南技术物理研究所）、华中科技大学武汉光电国家实验室（筹）、中国科学院红外物理国家重点实验室等单位从事半导体相关研究工作。2011年3月至今，任职于南通大学，先后在专用集成电路设计重点实验室、电子信息学院、信息科学与技术学院、微电子学院（集成电路学院）从事教学与科研工作。

主持了国家自然科学基金面上项目、青年科学基金项目、国家重点实验室开放课题、江苏省高校自然科学研究重大项目、中国博士后科学基金、国家留学基金委等项目，以及多项企业横向技术开发项目。参与了国家重点基础研究发展计划、江苏省及上海市省部级科研等项目。

半导体物理（本科生）、光电子器件（本科生）、激光与光电子技术（本科生）、工程管理（本科生）

[1] 国家自然科学基金委员会，面上项目（62074085），新型栅极调控负光电导型InAsSb纳米线室温中红外探测器机理研究，2021-2024，64万元，主持

论文：

[1] Yan Zhang, Tiantian Cheng, Tengfei Xu, Man Luo, Shijun Luo, Mei Ge, Jintong Xu, Chenhui Yu, Interface Trap-induced Dark Current in Graded-Layer Long-Wavelength Infrared HgCdTe nBn Photodetector [J]. Infrared Physics & Technology, 2025, 147: 105772.

[2] Yijin Wang, Yuxin Meng, Yan Zhang, Man Luo, Jiarui Zhang, Mei Ge, Jintong Xu, Chenhui Yu, Progress and Prospects of InAs-Based FinFETs from Process Optimization to Device Architectural Innovation [J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2025, 72(2): 531-542.

[3] Tiantian Cheng, Yuxin Meng, Man Luo, Jiachi Xian, Wenjin Luo, Weijun Wang, Fangyu Yue, Johnny C. Ho, Chenhui Yu, and Junhao Chu. Advancements and Challenges in the Integration of Indium Arsenide and Van der Waals Heterostructures [J]. Small, 2024, 20(48): 2403129.

[4] Jiayi Qin, Ruiqi Jiang, Man Luo, Tiantian Cheng, Yuxin Meng, Yuanze Zu, Jinzhong Zhang, Johnny C. Ho, Chenhui Yu, Junhao Chu, High Performance Few-Layered h-BN-Based MIS Blocks by Fowler-Nordheim Tunneling for Infrared Photodetection [J]. Infrared Physics & Technology, 2024, 137: 105105.

[5] Tengfei Xu, Man Luo, Niming Sheng, Yiye Yu, Zhen Wang, Zhuangzhuang Cui, Jiayi Qin, Fang Liang, Yunfeng Chen, Yong Zhou, Fang Zhong, Meng Peng, Muhammad Zubair, Ning Li, Jinshui Miao, Wei Lu, Chenhui Yu, Weida Hu, Ternary 2D Layered Material FePSe3 and Near-Infrared Photodetector [J]. Advanced Electronic Materials, 2021, 7(8): 2100207.

[6] Tengfei Xu, Hailu Wang, Xiaoyao Chen, Man Luo, Lili Zhang. Yueming Wang, Fansheng Chen, Chongxin Shan and Chenhui Yu, Recent Progress on Infrared Photodetectors Based on InAs and InAsSb Nanowires [J]. Nanotechnology, 2020, 31(29): 294004.

专利：

[1] 余晨辉等，一种三结终端扩展结构的碳化硅功率二极管及其制备方法，授权时间: 2025.01.24，中国，专利号：ZL202210132759.X.

[2] 余晨辉等，一种控制范德瓦耳斯外延与远程外延生长模式的装置及方法，授权时间: 2025.01.14，中国，专利号：ZL202111132499.8.

[3] 余晨辉等，集成氮化镓晶闸管的常闭型高电子迁移率晶体管及其制造方法，授权时间: 2024.12.20，中国，专利号：ZL202210216015.6.

[4] 余晨辉等，一种场板结构的碳化硅功率二极管及其制备方法，授权时间: 2024.12.13，中国，专利号：ZL202210186426.5.

[1] 江苏省集成电路学会会员

[2] 中国物理学会会员

[3] 美国IEEE协会会员

无

近5年已指导硕士研究生15名，其中已毕业9名。指导的学生，在国内外专业期刊上发表SCI、EI论文10多篇，申请国家发明专利30余项，其中授权国家发明专利10多项。在集成电路、电子设计等学科竞赛中获得省部级奖项10多项。

计划招收研究生的专业为电子科学与技术、集成电路及微电子等相关专业，年度招生名额2-3名，主要从事半导体器件、半导体人工智能技术、功率电路与系统应用等研究工作。